崗位職責:
1、負責GaN、GaAs射頻微波器件研發,根據市場及客戶需求,開展外延結構設計、器件結構設計、關鍵工藝開發等工作;
2、開展器件電熱仿真、電學分析、可靠性機理研究;
3、協助產線開展產品不良分析及解決、良率的提升;
4、負責射頻微波器件技術調研,開展器件新技術、新標準、新工具和新方法等研究工作;
5、友商競品及專利分析,撰寫相關技術報告、論文、專利等材料;
6、橫向及縱向研發項目申請和驗收工作,作為研發項目負責人或者項目組成員完成指定的工作;
完成領導交待的其他工作。
任職要求:
1、教育背景:博士,半導體物理、微電子學、材料物理、電子科學與技術、微波、通信等相關專業;
2、深刻理解半導體器件物理基礎知識,熟悉半導體工藝原理、工藝流程以及相關工藝模塊;
3、了解HEMT、HBT等器件工作原理,以及相關可靠性機理;
4、熟悉射頻微波器件的測試評估,包含DC測試、小信號、大信號測試和分析;
5、對芯片可靠性設計、晶圓工藝、封裝、測試有深入理解,有芯片逆向工作分析經驗者更佳;
6、良好的溝通能力和優秀的團隊協作精神,誠實、好學、有責任心。