職位描述:
1. 協助完成IGBT芯片的設計與開發,包括器件結構設計,仿真優化及性能驗證;
2.參與IGBT芯片的工藝開發與流程優化,協助解決工藝中的技術問題;
3. 協助進行芯片的電學特性測試與數據分析,撰寫測試報告;
4. 支持團隊完成IGBT芯片的可靠性評估與失效分析;
5. 協助完成相關技術文檔的編寫與整理,包括設計規范、測試報告等;
6. 跟蹤行業技術動態,參與新技術的研究與開發;
7. 完成上級交辦的其他相關工作。
任職要求:
1. 學歷要求:微電子、電子工程、半導體物理、材料科學等相關工科專業本科及以上學歷;
2.專業知識:熟悉半導體器件物理、功率器件設計原理,了解IGBT工作原理及制造工藝;
3. 技能要求:
- 熟練使用TCAD仿真工具(如Sentaurus、Silvaco等);
- 熟悉常用測試儀器(如示波器、半導體參數分析儀等);
- 具備一定的編程能力(如Python、Matlab等)者優先;
4. 經驗要求**:
- 有半導體器件設計或工藝開發2年經驗者優先;
- 應屆畢業生需有相關項目或實習經驗;
5. 其他要求:
- 具備良好的學習能力、溝通能力和團隊協作精神;
- 工作認真負責,具備較強的抗壓能力;
6. 加分項:
- 熟悉IGBT的設計與制造;
-了解芯片封裝與可靠性測試相關知識。